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장비 상세정보

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박막 및 웨이퍼 태양전지 제조용 플라즈마 증착시스템 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)

플라즈마증착시스템.jpg

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사용용도
표준분류 기계가공/시험장비
모델명 없음
제작사 울텍
구축일자 2011. 03. 21
보유기관 전북대 신재생에너지소재개발지원센터
장비설명 N(Nitrogen) 증착, 반사방지막 형성
구성 및 성능 • Sample size & throughput : 100*100, Single wafer
• RF power : 1kW @27.12MHz, Auto matching control
• Chuck bias (option) : RF 600W @27.12MHz, Auto matching control
• Substrate heater : Max. 500℃
• Loadlock chamber : Stand-alone type (option - Robot type)
• Ultimate pressure : ≤ 5×10-3Torr
• Vacuum pump : Dry pump (option - TMP, Rotary pump)
• Process control : Auto process control by PC
사용예 - P-type 비정질 실리콘 증착
- Intrinsic 비정질 실리콘 증착
- N-type 비정질 실리콘 증착