장비 상세정보
| 박막 및 웨이퍼 태양전지 제조용 플라즈마 증착시스템 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) | |||||||||||||
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| 장비설명 | N(Nitrogen) 증착, 반사방지막 형성 | ||||||||||||
| 구성 및 성능 | • Sample size & throughput : 100*100, Single wafer • RF power : 1kW @27.12MHz, Auto matching control • Chuck bias (option) : RF 600W @27.12MHz, Auto matching control • Substrate heater : Max. 500℃ • Loadlock chamber : Stand-alone type (option - Robot type) • Ultimate pressure : ≤ 5×10-3Torr • Vacuum pump : Dry pump (option - TMP, Rotary pump) • Process control : Auto process control by PC |
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| 사용예 | - P-type 비정질 실리콘 증착 - Intrinsic 비정질 실리콘 증착 - N-type 비정질 실리콘 증착 |
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